- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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7 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 830 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-3L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 |
