供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
CSD19506KCS Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 100A...
1 43 加入询价
PSMN009-100P,127 Nexperia
MOSFET N-CH 100V 75A...
1 2,000 加入询价
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