- 品牌：
-
- ON Semiconductor (2)
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 12A... |
1 | 9,633 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 11A... |
1 | 34,309 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 12A... |
1 | 2,006 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 6.1... |
1 | 2,397 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23.... |
1 | 463 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 16A... |
1 | 6,006 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23.... |
1 | 469 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH |
1 | 612 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 69A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
