- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 33 M... |
1 | 60 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 33 M... |
1 | 100 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 20V 8A/... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 68A... |
1 | 484 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 72A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 31.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 68A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Comchip Technology | MOSFET N-CH 60V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
