- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
3 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 150V 400... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 287... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 190... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
