供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G05P06L Goford Semiconductor
P60V,RD(MAX)<120M@-10V...
1 17,712 加入询价
G050N03S Goford Semiconductor
N30V, 18A,RD<5M@10V,VT...
1 4,000 加入询价
25P06 Goford Semiconductor
P60V,RD(MAX)<45M@-10V...
1 4,450 加入询价
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