单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

工作温度：

封装/外壳：

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：

FET 功能：

功率耗散（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	PSMN1R7-40YLDX	Nexperia	MOSFET N-CH 40V 200A...	1	3,000	加入询价
	PSMN0R9-30ULDX	Nexperia	MOSFET N-CH 30V 300A...	1	2,000	加入询价

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