- 品牌:
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- 漏源电压(Vdss):
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 功率耗散(最大值):
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11 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6... |
1 | 52,093 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6... |
1 | 18,790 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |