- 品牌：
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- ON Semiconductor (6)
- Littelfuse (2)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 250V 8.1... |
1 | 6,865 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 250V 5.6... |
1 | 1,862 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 26A... |
1 | 850 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A... |
1 | 28 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 2500V 1A... |
1 | 12 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 8A... |
1 | 995 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 2500V 1.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 6.4... |
1 | 80 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 6.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
