- 品牌：
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- Diodes Incorporated (10)
- 安装类型：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 80A... |
1 | 24,604 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 80A... |
1 | 44,160 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A... |
1 | 3,973 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 11.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 11.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 11.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 11.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
