供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
APTC80DA15T1G Microsemi
MOSFET N-CH 800V 28A...
1 2,000 加入询价
APTC80SK15T1G Microsemi
MOSFET N-CH 800V 28A...
1 2,000 加入询价
IXFN100N10S1 Littelfuse
MOSFET N-CH 100V 100...
1 2,000 加入询价
IXFN100N10S2 Littelfuse
MOSFET N-CH 100V 100...
1 2,000 加入询价
IXFN100N10S3 Littelfuse
MOSFET N-CH 100V 100...
1 2,000 加入询价
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