单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

工作温度：

封装/外壳：

供应商器件封装：

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：

功率耗散（最大值）：

已选条件：

3 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	SI3421DV-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET P-CH 30V 8A ...	1	22,105	加入询价
	BUK6Y33-60PX	Nexperia	MOSFET P-CH 60V 30A...	1	1,198	加入询价
	PSMP033-60YEX	Nexperia	PSMP033-60YE/SOT669/L...	1	2,000	加入询价

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