- 品牌：
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- ON Semiconductor (2)
- STMicroelectronics (10)
- Microsemi (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 22A... |
1 | 450 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 22A... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 408 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | POWER TRANSISTOR... |
1 | 40 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | POWER TRANSISTOR... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 36A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A... |
1 | 59 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | AUTOMOTIVE-GRADE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | AUTOMOTIVE-GRADE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH |
1 | 2,000 | 加入询价 |
