- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 6.2A... |
1 | 16,029 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 2,958 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 783 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 24A... |
1 | 349 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) PG-... |
1 | 974 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IAUC120N04S6L012ATMA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 140A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
