供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G26P04K Goford Semiconductor
P-40V,RD(MAX)<18M@-10V...
1 5,279 加入询价
G80N03K Goford Semiconductor
N30V, 80A,RD<6.5M@10V,V...
1 2,500 加入询价
45P40 Goford Semiconductor
P40V,RD(MAX)<14M@-10V...
1 4,978 加入询价
G45P40T Goford Semiconductor
MOSFET, P-CH, 40V,45...
1 2,000 加入询价
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