漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
BSP250,115 Nexperia
MOSFET P-CH 30V 3A ...
1 21,041 加入询价
BSP250,135 Nexperia
MOSFET P-CH 30V 3A ...
1 144,860 加入询价
G04P10HE Goford Semiconductor
P-100V,-4A,RD(MAX)<200...
1 1,930 加入询价
MCT06P10-TP Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET P-CH 100V 6A...
1 2,000 加入询价
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