- 品牌:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
7 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 14.... |
1 | 10,648 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 650V 11A TO-252, LOW-N... |
1 | 2,480 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 650V 11A TO-220FM, LOW... |
1 | 1,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 90 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 |