供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
FCU900N60Z ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5...
1 1,726 加入询价
IPS50R520CP Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1...
1 2,000 加入询价
SPS03N60C3BKMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2...
1 2,000 加入询价
IPS50R520CPBKMA1 Infineon Technologies
LOW POWER_LEGACY
1 2,000 加入询价
SPS03N60C3 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2...
1 2,000 加入询价
SPS03N60C3AKMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2...
1 2,000 加入询价
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