供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G20P10KE Goford Semiconductor
P-CH, -100V, 20A, RD(M...
1 3,579 加入询价
GT080N10K Goford Semiconductor
N100V, 75A,RD<8M@10V,V...
1 2,500 加入询价
GT035N06T Goford Semiconductor
N-CH, 60V,170A, RD(MA...
1 152 加入询价
GT025N06AT Goford Semiconductor
N60V, 170A,RD<2.5M@10V,...
1 77 加入询价
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