- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 190 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,970 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 190 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 184 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 2,450 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 14 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |