- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PANJIT | SOT-23, MOSFET |
1 | 137,545 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 19A... |
1 | 14,869 | 加入询价 | |
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Nexperia | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 30 V (D-S... |
1 | 5,988 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 108A... |
1 | 2,344 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 2,492 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET DFN2020MD-6 |
1 | 343 | 加入询价 | |
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Nexperia | PMPB07R3EN/SOT1220-2... |
1 | 796 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 30V 71A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 88A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 30V 7.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
