漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A...
1 5,599 加入询价
IPB77N06S212ATMA2 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A...
1 2,000 加入询价
SPB77N06S2-12 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A...
1 2,000 加入询价
IPB77N06S212ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A...
1 2,000 加入询价
IPB80N04S3H4ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A...
1 2,000 加入询价
我们一直持续专注
实力现货
即时报价
快速出货
0755-23990123
13723705933
微信客服1部
微信客服2部
绝对原装正品
原厂渠道
全新正品
原厂认证
检测报告
IQC品控检测