漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IRFI644GPBF Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 250V 7.9...
1 4,902 加入询价
FDP4D5N10C ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 128...
1 670 加入询价
IRFI644G Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 250V 7.9...
1 2,000 加入询价
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