- 品牌:
-
- Intersil(瑞萨电子公司) (6)
- Nexperia (3)
- ON Semiconductor (26)
- STMicroelectronics (42)
- Littelfuse (4)
- ROHM Semiconductor (14)
- Vishay / Siliconix (17)
- 安装类型:
-
- 工作温度:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- FET 类型:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 1,381 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 18A... |
1 | 1,453 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 22A... |
1 | 1,479 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 22A... |
1 | 708 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 600V |
1 | 790 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 22A... |
1 | 413 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 24A... |
1 | 974 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 52 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 240 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A... |
1 | 500 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 48 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 10 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 650V 24A TO-220FM, HIG... |
1 | 990 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 600V 24A TO-220FM, HIG... |
1 | 970 | 加入询价 | ||
Littelfuse | IXFH26N65X2 |
1 | 180 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 650V 24A, TO-220AB, HI... |
1 | 426 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TO... |
1 | 980 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 60V 89A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 80V 67A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |