- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (2)
- STMicroelectronics (17)
- ROHM Semiconductor (10)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 479 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A... |
1 | 1,118 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A... |
1 | 2,975 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 24A TO-247, HIGH-... |
1 | 1,063 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 18A... |
1 | 1,453 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 22A... |
1 | 1,479 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 10 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 24A TO-220FM, HIG... |
1 | 990 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 600V 24A TO-220FM, HIG... |
1 | 970 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 24A, TO-220AB, HI... |
1 | 426 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A... |
1 | 12 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A... |
1 | 300 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A... |
1 | 600 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 450V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
