25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPB60R165CPATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A...
1 11,488 加入询价
STB20NM60D STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A...
1 2,000 加入询价
FCB11N60TM ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A...
1 2,000 加入询价
FCB11N60FTM ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A...
1 2,000 加入询价
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