供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
Vgs(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
18N20 Goford Semiconductor
N 200V, RD(MAX)<0.16@10...
1 2,285 加入询价
18N20J Goford Semiconductor
N200V, 18A,RD<0.16@10V,V...
1 150 加入询价
18N20F Goford Semiconductor
N200V, 18A,RD<0.19@10V,V...
1 87 加入询价
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