供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
TQM130NB06CR RLG Taiwan Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A...
1 3,993 加入询价
TSM070NB04CR RLG Taiwan Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 15A...
1 7,331 加入询价
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