单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

供应商器件封装：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：

功率耗散（最大值）：

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	R6024ENZ4C13	ROHM Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 24A...	1	2,000	加入询价
	IGOT60R042D1AUMA2	Infineon Technologies	GANFET N-CH	1	2,000	加入询价