- 品牌:
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- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- Vgs(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
579 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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EPC | GAN FET 40V .002OHM ... |
1 | 9,298 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN BUMPED... |
1 | 17,509 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN 150V .003O... |
1 | 8,262 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN 200V .005O... |
1 | 4,532 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN DIE 100V... |
1 | 10,400 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN 100V .0032O... |
1 | 25,947 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 4,500 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 5,000 | 加入询价 | ||
PANJIT | 100V/ 4.4MOHM/ EXCEL... |
1 | 6,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 4,792 | 加入询价 | ||
Littelfuse | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 800 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 1,000 | 加入询价 | ||
Littelfuse | DISCRETE MOSFET ... |
1 | 300 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 250A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 36... |
1 | 237 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN 100V .010O... |
1 | 2,870 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 36... |
1 | 210 | 加入询价 | ||
EPC Space | GAN FET HEMT 100V 5... |
1 | 150 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 990 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 1,000 | 加入询价 |