- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
30 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-247-3 G3R S... |
1 | 1,200 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-247-4 G3R S... |
1 | 3,659 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | TRANS SJT 1700V D3P... |
1 | 362 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 665 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-263-7 G3R S... |
1 | 1,721 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 247 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 188 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 3... |
1 | 20 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 700V TO... |
1 | 41 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 700V D3... |
1 | 9 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
