漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPDD60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 52A...
1 1,101 加入询价
IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31A...
1 60 加入询价
IPT60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 44A...
1 2,000 加入询价
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