- 品牌:
-
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- 安装类型:
-
- 工作温度:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 技术:
-
- FET 类型:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
1,774 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 800M... |
1 | 453,863 | 加入询价 | ||
Littelfuse | MOSFET N-CH 250V 360... |
1 | 3,939 | 加入询价 | ||
Littelfuse | MOSFET N-CH 350V 5M... |
1 | 232,004 | 加入询价 | ||
Intersil(瑞萨电子公司) | MOSFET N-CH 60V 25A... |
1 | 42,749 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 100A... |
1 | 31,426 | 加入询价 | ||
EPC | GAN FET 40V .002OHM ... |
1 | 9,298 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN BUMPED... |
1 | 17,509 | 加入询价 | ||
Littelfuse | MOSFET N-CH 500V 1.6... |
1 | 15,317 | 加入询价 | ||
Littelfuse | MOSFET N-CH 1000V 1.... |
1 | 140 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN 150V .003O... |
1 | 8,262 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN 200V .005O... |
1 | 4,532 | 加入询价 | ||
Intersil(瑞萨电子公司) | MOSFET N-CH 1500V 4A... |
1 | 4,427 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 100M... |
1 | 55,692 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 2A ... |
1 | 3,746 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 45,253 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 56,140 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 20V 4WL... |
1 | 13,923 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 200M... |
1 | 7,115 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5A ... |
1 | 11,225 | 加入询价 | ||
Littelfuse | MOSFET N-CH 800V SO... |
1 | 3,451 | 加入询价 |