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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
安装类型:
表面贴装型
(1)
通孔
(1)
封装/外壳:
TO-247-4
(1)
TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
(1)
供应商器件封装:
D2PAK-7
(1)
TO-247-4
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
17A(Tc)
(1)
18.4A(Tc)
(1)
功率耗散(最大值):
136W(Tc)
(1)
166.7W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) : 5.5V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 25.7 nC @ 12 V
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
UF3C120150K4S
UnitedSiC
SICFET N-CH 1200V 18...
1
643
加入询价
UF3C120150B7S
UnitedSiC
1200V/150MOHM, SIC, F...
1
556
加入询价
UF3C120150K4S
UnitedSiC
-
库存 : 643
询价
UF3C120150B7S
UnitedSiC
-
库存 : 556
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