- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
13 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 489 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 992 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | COOLMOS CFD7 SUPE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
