供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SI1433DH-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.9A...
1 2,000 加入询价
IRF9204PBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 56A...
1 2,000 加入询价
SI1431DH-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.7A...
1 2,000 加入询价
SI1431DH-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.7A...
1 2,000 加入询价
SI1433DH-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.9A...
1 2,000 加入询价
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