- 品牌：
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- Diodes Incorporated (22)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 454,854 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3.2A... |
1 | 149,370 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET P-CH 20V 5A ... |
1 | 291,638 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.5A... |
1 | 806,191 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 262,854 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,049 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,995 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 1,433 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N20V, 6A,RD<27M@4.5V,V... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V... |
1 | 11,959 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 6A ... |
1 | 8,379 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
