FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SI8472DB-T2-E1 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4MI...
1 9,780 加入询价
SI8808DB-T2-E1 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4MI...
1 1,617 加入询价
SI8457DB-T1-E1 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4MI...
1 2,000 加入询价
SI8481DB-T1-E1 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.7A...
1 2,000 加入询价
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