- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<4.5M@10V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<6M@10V,R... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 6,146 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 35A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V, 18A,RD<5M@10V,VT... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V... |
1 | 5,593 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 45A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 60V,45... |
1 | 4,247 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 90A,RD<12M@10V,V... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N40V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 92 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 35A,RD<13M@10V,V... |
1 | 100 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<9M@10V,R... |
1 | 65 | 加入询价 |
