- 品牌:
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- ON Semiconductor (3)
- 工作温度:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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- 功率耗散(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<100M@10V... |
1 | 8,988 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<100M@10V... |
1 | 6,605 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<25M@4.5V... |
1 | 3,960 | 加入询价 | ||
Comchip Technology | MOSFET N-CH 20V 4.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 8.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 3.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |