- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- FET 功能：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A... |
1 | 147,152 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 3.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 8.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 8.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 3.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 8.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
