- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 300M... |
1 | 164,809 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMOS LOW RON NCH ... |
1 | 5,950 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 170M... |
1 | 100,957 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 400M... |
1 | 3,044 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 170M... |
1 | 876 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | AUTO AEC-Q LOW RD... |
1 | 321 | 加入询价 |
