- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4.3A... |
1 | 7,332 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<12M@10V,... |
1 | 3,933 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4... |
1 | 3,743 | 加入询价 |
