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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
100 V
(2)
600 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
3.1A(Ta),5A(Tc)
(2)
400mA(Ta)
(1)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V
(1)
6V,10V
(2)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
10 欧姆 @ 500mA,10V
(1)
130 毫欧 @ 2.5A,10V
(2)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
12 nC @ 10 V
(2)
6.1 nC @ 10 V
(1)
Vgs(最大值):
±20V
(2)
±30V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
210 pF @ 25 V
(1)
707 pF @ 30 V
(2)
功率耗散(最大值):
3.1W(Ta)
(1)
3.1W(Ta),8W(Tc)
(1)
3.3W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) : 3.5V @ 250µA
技术 : MOSFET(金属氧化物)
供应商器件封装 : SOT-223
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PJW5N10_R2_00001
PANJIT
100V N-CHANNEL ENH...
1
2,000
加入询价
PJW5N10-AU_R2_000A1
PANJIT
100V N-CHANNEL ENH...
1
2,000
加入询价
PJW1NA60B_R2_00001
PANJIT
600V N-CHANNEL MOS...
1
2,000
加入询价
PJW5N10_R2_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
询价
PJW5N10-AU_R2_000A1
PANJIT
-
库存 : 2,000
询价
PJW1NA60B_R2_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
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