- 品牌：
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- Diodes Incorporated (53)
- ON Semiconductor (11)
- Panasonic (3)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 100V 120... |
1 | 8,475 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 120M... |
1 | 2,393 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 450M... |
1 | 4,565 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 90V 250M... |
1 | 2,600 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 310... |
1 | 3,659 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 200... |
1 | 889 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 35M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 160M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 160... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 160... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 90M... |
1 | 72 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 75M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 45V 90M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 250M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 230... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 45V 230M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 40V 250M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 250M... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
