- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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23 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 2,958 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 900V 11A... |
1 | 9,629 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 900V 11A... |
1 | 5,299 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 900V 11.... |
1 | 6,758 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 900V 11.... |
1 | 528 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 783 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 3 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 13 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 38A... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 600V 38A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
