- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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9 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N30V, 16A,RD<10M@10V,V... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<12M@10V,... |
1 | 3,790 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 2,950 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 40V 4.6A... |
1 | 8,785 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 40V 4.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 5A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
