封装/外壳:
供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
GT025N06D5 Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<2.7M@10V...
1 9,935 加入询价
YJG95G06A YANGJIE
N-CH MOSFET 60V 95A...
1 2,000 加入询价
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