- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | MOSFET, P-CH, 40V,45... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<10.5M@10... |
1 | 220 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<25M@10V... |
1 | 212 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<9M@10V,... |
1 | 199 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N-CH, 60V,170A, RD(MA... |
1 | 152 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 170A,RD<2.5M@10V,... |
1 | 77 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,25A,RD<70M@-10V,V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N40V, 110A,RD<4M@10V,V... |
1 | 100 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<6.4M@10V... |
1 | 96 | 加入询价 |
