供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G02P06 Goford Semiconductor
P60V,RD(MAX)<190M@-10V...
1 6,940 加入询价
G05P06L Goford Semiconductor
P60V,RD(MAX)<120M@-10V...
1 17,712 加入询价
06N06L Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<42M@10V,...
1 15,219 加入询价
G01N20LE Goford Semiconductor
N200V,RD(MAX)<850M@10V...
1 5,894 加入询价
G7P03L Goford Semiconductor
P30V,RD(MAX)<23M@-10V...
1 6,677 加入询价
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